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型号 SPB18P06P G
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET P-CH 60V 18.7A TO-263
SPB18P06P G PDF
代理商 SPB18P06P G
产品目录绘图 Mosfets TO-263
标准包装 1
系列 SIPMOS®
FET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 18.7A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 130 毫欧 @ 13.2A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 4V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs 28nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 860pF @ 25V
功率 - 最大 81.1W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装 PG-TO263-2
包装 标准包装
产品目录页面 1620 (CN2011-ZH PDF)
其它名称 SPB18P06PGINDKR
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